SIHB10N40D-GE3 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Varastossa: 9 114
Yksikköhinta : 2,29000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


IXYS
Varastossa: 281
Yksikköhinta : 4,74000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


IXYS
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 4,54000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB10N40D-GE3

DigiKeyn tuotenumero
SIHB10N40D-GE3-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
SIHB10N40D-GE3
Kuvaus
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263 (D2PAK)
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 250µA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Pakkaustapa
Putki
Vgs (maks.)
±30V
Osan tila
Vanhentunut
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
526 pF @ 100 V
FET-tyyppi
Tehohäviö (maks.)
147W (Tc)
Teknologia
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
400 V
Asennustyyppi
Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Valmistajan laitepakkaus
TO-263 (D2PAK)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Pakkaus / kotelo
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 5A, 10V
Päätuotenumero
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Korvaa (3)
OsanumeroValmistaja Saatavana oleva määräDigiKeyn tuotenumero Yksikköhinta Korvaava tyyppi
IRF740PBFVishay Siliconix9 114IRF740PBF-ND2,29000 €MFR Recommended
IXFA12N50PIXYS281IXFA12N50P-ND4,74000 €Samankaltainen
IXTA12N50PIXYS0238-IXTA12N50P-ND4,54000 €Samankaltainen
Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.