Name: SIHA6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA6N65E-GE3TR-ND
Price: 3.1626 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHA6N65E-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHA6N65E-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIHA6N65E-GE3CT-ND - Cut Tape (CT)
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHA6N65E-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 650V
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 7A (Tc) 31W (Tc) Läpivientiaukko TO-220, täysi pakkaus
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Sarja E	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT)	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1640 pF @ 100 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 31W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 7A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220, täysi pakkaus
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3, täysi pakkaus

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 992

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Kun tämän tuotteen nykyinen varasto on loppunut, sovelletaan valmistajan vakiokokoa ja toimitusaikaa.

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT)

Rullattu teippi (TR)

Määrä	Yksikköhinta	Yhteensä
1 000	0,86384 €	863,84 €

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,52000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,16260 €

SIHA6N65E-GE3