Name: SIHA5N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA5N80AE-GE3-ND
Price: 2.19625 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHA5N80AE-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHA5N80AE-GE3-ND
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHA5N80AE-GE3
Kuvaus	E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 800 V 3A (Tc) 29W (Tc) Läpivientiaukko TO-220, täysi pakkaus
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,35Ohm @ 1,5A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Sarja E	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 321 pF @ 100 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 29W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 800 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 3A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220, täysi pakkaus
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3, täysi pakkaus

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 690

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki