Name: SIHA20N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA20N50E-GE3TR-ND
Price: 4.15405 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIHA20N50E-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SIHA20N50E-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SIHA20N50E-GE3CT-ND - Cut Tape (CT)
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIHA20N50E-GE3
Kuvaus	N-CHANNEL 500V
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 500 V 19A (Tc) 34W (Tc) Läpivientiaukko TO-220, täysi pakkaus
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT)	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1640 pF @ 100 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 34W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 500 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 19A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220, täysi pakkaus
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3, täysi pakkaus
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 184mOhm @ 10A, 10V