Name: SIDR870ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.17515 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIDR870ADP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIDR870ADP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIDR870ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIDR870ADP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 95A (Tc) 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8DC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIDR870ADP-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2866 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 125W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8DC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 95A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SIDR870
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6,6mOhm @ 20A, 10V