Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.6184 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIDR680DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIDR680DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	55 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 32,8A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8DC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5150 pF @ 40 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8DC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 32,8A (Ta), 100A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Päätuotenumero SIDR680
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,9mOhm @ 20A, 10V