Name: SIA485DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA485DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9538 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SIA485DJ-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SIA485DJ-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SIA485DJ-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIA485DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SIA485DJ-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
Valmistajan vakio toimitusaika	63 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 150 V 1,6A (Tc) 15,6W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SC-70-6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SIA485DJ-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 155 pF @ 75 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 15,6W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 150 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 1,6A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SC-70-6
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SC-70-6
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,6Ohm @ 500mA, 10V	Päätuotenumero SIA485

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 4 350

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)