Name: SI9407BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9407BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7821 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI9407BDY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI9407BDY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI9407BDY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI9407BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI9407BDY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 4,7A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4,7A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	600 pF @ 30 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,4W (Ta), 5W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOIC
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Päätuotenumero	SI9407