Name: SI8823EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8823EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.74045 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI8823EDB-T2-E1
DigiKeyn tuotenumero	SI8823EDB-T2-E1TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI8823EDB-T2-E1CT-ND - Cut Tape (CT) SI8823EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI8823EDB-T2-E1
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 2,7A (Tc) 900mW (Tc) Kiinnitys pintaan
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 800mV @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Sarja TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±8V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 580 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 900mW (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus 4-MICRO FOOT® (0.80x0.80)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2,7A (Tc)	Pakkaus / kotelo 4-XFBGA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,5V, 4,5V	Päätuotenumero SI8823
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 95mOhm @ 1A, 4,5V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 38 778

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)