Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.4769 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI8819EDB-T2-E1
DigiKeyn tuotenumero	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Cut Tape (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI8819EDB-T2-E1
Kuvaus	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Valmistajan vakio toimitusaika	8 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 12 V 2,9A (Ta) 900mW (Ta) Kiinnitys pintaan 4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	12 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,9A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,5V, 3,7V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1,5A, 3,7V
Vgs(th) (maks.) @ Id	900mV @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	650 pF @ 6 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	900mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Pakkaus / kotelo	4-XFBGA
Päätuotenumero	SI8819