Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.76555 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI8819EDB-T2-E1
DigiKeyn tuotenumero	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Cut Tape (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI8819EDB-T2-E1
Kuvaus	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 12 V 2,9A (Ta) 900mW (Ta) Kiinnitys pintaan
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 900mV @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 17 nC @ 8 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 650 pF @ 6 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 900mW (Ta)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 12 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2,9A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus 4-MICRO FOOT® (0.80x0.80)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,5V, 3,7V	Pakkaus / kotelo 4-XFBGA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1,5A, 3,7V	Päätuotenumero SI8819

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 0

Tarkista toimitusaika

Pyydä ilmoitus siitä kun tuotetta on taas saatavana

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	0,61000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	0,76555 €

SI8819EDB-T2-E1