Name: SI8816EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8816EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.74045 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI8816EDB-T2-E1
DigiKeyn tuotenumero	SI8816EDB-T2-E1TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI8816EDB-T2-E1CT-ND - Cut Tape (CT) SI8816EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI8816EDB-T2-E1
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 1,5A (Ta) 500mW (Ta) Kiinnitys pintaan 4-Microfoot
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±12V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 195 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 500mW (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus 4-Microfoot
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 1,5A (Ta)	Pakkaus / kotelo 4-XFBGA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 10V	Päätuotenumero SI8816
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 109mOhm @ 1A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 43 283

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)