Name: SI7858BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7858BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.52255 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7858BDP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI7858BDP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7858BDP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7858BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7858BDP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 12 V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Category Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 84 nC @ 4.5 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5760 pF @ 6 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 5W (Ta), 48W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 12 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 40A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,8V, 4,5V	Päätuotenumero SI7858
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,5mOhm @ 15A, 4,5V