Name: SI7464DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7464DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.02455 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7464DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI7464DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7464DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7464DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7464DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 1,8A (Ta) 1,8W (Ta) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2,8A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,8W (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 1,8A (Ta)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero SI7464

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 2 752

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)

Valmistajien vakiokoko

Yksikköhinta ilman ALV-veroa:	2,41000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:	3,02455 €

SI7464DP-T1-GE3