Name: SI7450DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7450DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.2419 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7450DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI7450DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7450DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7450DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7450DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 3,2A (Ta) 1,9W (Ta) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,9W (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 3,2A (Ta)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero SI7450