Name: SI7157DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7157DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.74845 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7157DP-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI7157DP-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7157DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7157DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7157DP-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® SO-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI7157DP-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,4V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 625 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±12V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 22000 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® SO-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® SO-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 10V	Päätuotenumero SI7157
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,6mOhm @ 25A, 10V