Name: SI7117DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7117DN-T1-E3TR-ND
Price: 1.84485 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7117DN-T1-E3
DigiKeyn tuotenumero	SI7117DN-T1-E3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7117DN-T1-E3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7117DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7117DN-T1-E3
Kuvaus	MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 150 V 2,17A (Tc) 3,2W (Ta), 12,5W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI7117DN-T1-E3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	150 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,17A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	510 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,2W (Ta), 12,5W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PowerPAK® 1212-8
Pakkaus / kotelo	PowerPAK® 1212-8
Päätuotenumero	SI7117