Name: SI7116DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7116DN-T1-E3TR-ND
Price: 3.37595 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI7116DN-T1-E3
DigiKeyn tuotenumero	SI7116DN-T1-E3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI7116DN-T1-E3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7116DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI7116DN-T1-E3
Kuvaus	MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 10,5A (Ta) 1,5W (Ta) Kiinnitys pintaan PowerPAK® 1212-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI7116DN-T1-E3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 7,8mOhm @ 16,4A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,5W (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® 1212-8
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10,5A (Ta)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® 1212-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SI7116