Name: SI6423DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6423DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 2.008 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI6423DQ-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI6423DQ-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI6423DQ-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI6423DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI6423DQ-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 12 V 8,2A (Ta) 1,05W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-TSSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI6423DQ-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	12 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8,2A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,5mOhm @ 9,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	800mV @ 400µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	110 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±8V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,05W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-TSSOP
Pakkaus / kotelo	8-TSSOP (0,173", 4,40mm leveys)
Päätuotenumero	SI6423