Name: SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4809 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI6423ADQ-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SI6423ADQ-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SI6423ADQ-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI6423ADQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI6423ADQ-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 10,3A (Ta), 12,5A (Tc) 1,5W (Ta), 2,2W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI6423ADQ-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	10,3A (Ta), 12,5A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	9,8mOhm @ 10A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	168 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5875 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,5W (Ta), 2,2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-TSSOP
Pakkaus / kotelo	8-TSSOP (0,173", 4,40mm leveys)
Päätuotenumero	SI6423