Name: SI5418DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5418DU-T1-GE3TR-ND
Price: 2.12095 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI5418DU-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI5418DU-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI5418DU-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI5418DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI5418DU-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 12A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Kiinnitys pintaan PowerPAK® ChipFET™, yksi
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI5418DU-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1350 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,1W (Ta), 31W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus PowerPAK® ChipFET™, yksi
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 12A (Tc)	Pakkaus / kotelo PowerPAK® ChipFET™, yksi
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SI5418
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 14,5mOhm @ 7,7A, 10V