Name: SI4909DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4909DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.79465 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4909DY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4909DY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 40V 8A 3,2W Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI4909DY-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 27mOhm @ 8A, 10V
Valmistaja Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 63nC @ 10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2000pF @ 20V
Osan tila Aktiivinen	Teho - maksimi 3,2W
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Konfiguraatio 2 P-kanavaa (kaksinkertainen)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
FET-ominaisuus Logiikkatasoportti	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 8A	Päätuotenumero SI4909

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 2 688

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)