Name: SI4599DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4599DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.39305 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4599DY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI4599DY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4599DY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 40V 6,8A, 5,8A 3W, 3,1W Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI4599DY-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	N- ja P-kanava
FET-ominaisuus	Logiikkatasoportti
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	6,8A, 5,8A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	35,5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	640pF @ 20V
Teho - maksimi	3W, 3,1W
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Valmistajan laitepakkaus	8-SOIC
Päätuotenumero	SI4599