Name: SI4564DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4564DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2088 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4564DY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4564DY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 40V 10A, 9,2A 3,1W, 3,2W Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI4564DY-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 17,5mOhm @ 8A, 10V
Valmistaja Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 31nC @ 10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 855pF @ 20V
Osan tila Aktiivinen	Teho - maksimi 3,1W, 3,2W
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Konfiguraatio N- ja P-kanava	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
FET-ominaisuus Logiikkatasoportti	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A, 9,2A	Päätuotenumero SI4564