Name: SI4464DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4464DY-T1-E3TR-ND
Price: 2.51 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4464DY-T1-E3
DigiKeyn tuotenumero	SI4464DY-T1-E3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4464DY-T1-E3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4464DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4464DY-T1-E3
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 1,7A (Ta) 1,5W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI4464DY-T1-E3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2,2A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,5W (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 1,7A (Ta)	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero SI4464