Name: SI4447ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4447ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0291 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4447ADY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI4447ADY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4447ADY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4447ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4447ADY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 7,2A (Tc) 4,2W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	970 pF @ 20 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	4,2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOIC
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Päätuotenumero	SI4447

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 4 048

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)