Name: SI4435FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435FDY-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8283 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4435FDY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4435FDY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 12,6A (Tc) 4,8W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI4435FDY-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 4,8W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 12,6A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SI4435
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 100 133

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)