Name: SI4386DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4386DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.69825 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4386DY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SI4386DY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SI4386DY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI4386DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4386DY-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 11A (Ta) 1,47W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Sarja TrenchFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,47W (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 11A (Ta)	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SI4386

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (3)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
AO4430	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	8 772	785-1028-1-ND	1,45000 €	Samankaltainen
AO4576	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	6 825	785-1465-1-ND	0,84000 €	Samankaltainen
FDS8896	onsemi	7 352	FDS8896CT-ND	1,09000 €	Samankaltainen