Name: SI4153DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3303 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI4153DY-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI4153DY-T1-GE3
Kuvaus	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 14,3A (Ta), 19,3A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI4153DY-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 9,5mOhm @ 10A, 10V
Valm. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Sarja TrenchFET® Gen III	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 93 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±25V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3600 pF @ 15 V
FET-tyyppi P-kanava	Tehohäviö (maks.) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 14,3A (Ta), 19,3A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 13 621

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)