Name: SI3417DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3417DV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.753 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI3417DV-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI3417DV-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI3417DV-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI3417DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI3417DV-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Kiinnitys pintaan 6-TSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI3417DV-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1350 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2W (Ta), 4,2W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus 6-TSOP
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 8A (Ta)	Pakkaus / kotelo SOT-23-6, litteä, TSOT-23-6
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero SI3417
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 25,2mOhm @ 7,3A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 29 027

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)