Name: SI3407DV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3407DV-T1-BE3TR-ND
Price: 0.28865 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI3407DV-T1-BE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SI3407DV-T1-BE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SI3407DV-T1-BE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI3407DV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI3407DV-T1-BE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 7,5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Kiinnitys pintaan 6-TSOP
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	7,5A (Ta), 8A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1670 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2W (Ta), 4,2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	6-TSOP
Pakkaus / kotelo	SOT-23-6, litteä, TSOT-23-6
Päätuotenumero	SI3407