Name: SI2329DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2329DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.09185 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI2329DS-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI2329DS-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 8 V 6A (Tc) 2,5W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI2329DS-T1-GE3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 800mV @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±5V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1485 pF @ 4 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 8 V	Valmistajan laitepakkaus SOT-23-3 (TO-236)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 6A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 1,2V, 4,5V	Päätuotenumero SI2329
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5,3A, 4,5V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 92 303

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)