Name: SI2325DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2325DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.64405 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI2325DS-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI2325DS-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI2325DS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI2325DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI2325DS-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	150 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	530mA (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,5V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	510 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	750mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	SI2325