Name: SI2324DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2324DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0291 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI2324DS-T1-GE3
DigiKeyn tuotenumero	SI2324DS-T1-GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI2324DS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI2324DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI2324DS-T1-GE3
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Valmistajan vakio toimitusaika	38 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 2,3A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,9V @ 250µA
Valm. Vishay Siliconix	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V
Sarja TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 190 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus SOT-23-3 (TO-236)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2,3A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero SI2324
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 234mOhm @ 1,5A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 21 461

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)