Name: SI2306BDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2306BDS-T1-E3TR-ND
Price: 0.5773 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI2306BDS-T1-E3
DigiKeyn tuotenumero	SI2306BDS-T1-E3TR-ND - Rullattu teippi (TR) SI2306BDS-T1-E3CT-ND - Cut Tape (CT) SI2306BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI2306BDS-T1-E3
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 3,16A (Ta) 750mW (Ta) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SI2306BDS-T1-E3 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	TrenchFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	30 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	3,16A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	47mOhm @ 3,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	4.5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	305 pF @ 15 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	750mW (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Päätuotenumero	SI2306