Name: SI2301CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2301CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.7028 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SI2301CDS-T1-BE3
DigiKeyn tuotenumero	742-SI2301CDS-T1-BE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-SI2301CDS-T1-BE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI2301CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	SI2301CDS-T1-BE3
Kuvaus	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 2,3A (Ta), 3,1A (Tc) 860mW (Ta), 1,6W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-23-3 (TO-236)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	2,3A (Ta), 3,1A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	112mOhm @ 2,8A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	405 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	860mW (Ta), 1,6W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	SOT-23-3 (TO-236)
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3