Name: MXP120A045FE-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-MXP120A045FE-T1GE3TR-ND
Price: 13.99011 EUR
Availability: OutOfStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

MXP120A045FE-T1GE3
DigiKeyn tuotenumero	742-MXP120A045FE-T1GE3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 742-MXP120A045FE-T1GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-MXP120A045FE-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay Siliconix
Valmistajan tuotenumero	MXP120A045FE-T1GE3
Kuvaus	SIC MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 49A (Tc) 212W (Tc)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay Siliconix
Sarja	MaxSiC™
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	49A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V, 20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	56mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,38V @ 5mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	75.6 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1958 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	212W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	-
Valmistajan laitepakkaus	-
Pakkaus / kotelo	-

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Tilattavissa

Tarkista toimitusaika

DigiKey ei pidä tätä tuotetta varastossa. Ilmoitettu toimitusaika koskee valmistajan toimitusta DigiKeylle. Kun DigiKey on vastaanottanut tuotteita, se lähettää ne täyttääkseen avoimena olevat tilaukset.

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Rullattu teippi (TR)