Name: VS-SF100SA120
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-SF100SA120-ND
Price: 67.519 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

VS-SF100SA120
DigiKeyn tuotenumero	112-VS-SF100SA120-ND
Valmistaja	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Valmistajan tuotenumero	VS-SF100SA120
Kuvaus	POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SI
Valmistajan vakio toimitusaika	31 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 98A (Tc) 468W (Tc) Runkokiinnitys SOT-227
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	98A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	15V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	43mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,6V @ 14,22mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	168 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+19V, -8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4624 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	468W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Runkokiinnitys
Valmistajan laitepakkaus	SOT-227
Pakkaus / kotelo	SOT-227-4, miniBLOC