Name: SM8S12AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S12AHE3_A/IGITR-ND
Price: 2.4347 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SM8S12AHE3_A/I
DigiKeyn tuotenumero	SM8S12AHE3_A/IGITR-ND - Rullattu teippi (TR) SM8S12AHE3_A/IGICT-ND - Cut Tape (CT) SM8S12AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Valmistajan tuotenumero	SM8S12AHE3_A/I
Kuvaus	TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO218AB
Valmistajan vakio toimitusaika	15 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	19,9V Puristusliitin 332A Ipp TVS - diodit Kiinnitys pintaan DO-218AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Virtapiirin suojaus Transienttijännitteen vaimennin (TVS) TVS-diodit
Valm.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Sarja	PAR®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Tyyppi	Zener
Yksisuuntaiset kanavat	1
Jännite - käänteinen läpilyöntijännite (tyyp.)	12V
Jännite - läpilyönti (min)	13,3V
Jännite - lukitus (maks.) @ Ipp	19,9V
Virta - huippupulssi (10/1000µs)	332A
Teho - pulssin huippu	6600W (6,6kW)
Syöttöjännitteen suojaus	No
Sovellukset	-
Kapasitanssi taajuudella	-
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	DO-218AB
Valmistajan laitepakkaus	DO-218AB
Päätuotenumero	SM8S12