Name: XPQ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 4.1415 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) Kiinnitys pintaan L-TOGL™

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XPQ1R004PB,LXHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XPQ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	XPQ1R004PB,LXHQ
Kuvaus	40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) Kiinnitys pintaan L-TOGL™
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±20V
Sarja U-MOSIX-H	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6890 pF @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 230W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila 175°C
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 200A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus L-TOGL™
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerBSFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1mOhm @ 100A, 10V	Päätuotenumero XPQ1R004
Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 500µA