Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 2.7108 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan S-TOGL™

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XPJR6604PB,LXHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	XPJR6604PB,LXHQ
Kuvaus	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan S-TOGL™
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	XPJR6604PB,LXHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 128 nC @ 10 V
Sarja U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 11380 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 375W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 175°C
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Luokka Autoteollisuus
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 40 V	Hyväksyntä AEC-Q101
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 200A (Ta)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Valmistajan laitepakkaus S-TOGL™
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 0,66mOhm @ 100A, 10V	Pakkaus / kotelo 5-PowerSFN