Name: XPJR6604PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPJR6604PBLXHQTR-ND
Price: 2.6606 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XPJR6604PB,LXHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-XPJR6604PBLXHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-XPJR6604PBLXHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XPJR6604PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	XPJR6604PB,LXHQ
Kuvaus	40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Kiinnitys pintaan S-TOGL™
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	XPJR6604PB,LXHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSIX-H
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,66mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	11380 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	375W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	S-TOGL™
Pakkaus / kotelo	5-PowerSFN