Name: XPH4R714MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND
Price: 1.3052 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XPH4R714MC,L1XHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-XPH4R714MCL1XHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XPH4R714MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	XPH4R714MC,L1XHQ
Kuvaus	MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 40 V 60A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	XPH4R714MC,L1XHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	U-MOSVI
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	60A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4,7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,1V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	5640 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOP Advance (5x5)
Pakkaus / kotelo	8-PowerVDFN
Päätuotenumero	XPH4R714