Name: XPH4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND
Price: 2.6355 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 100 V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

XPH4R10ANB,L1XHQ
DigiKeyn tuotenumero	264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XPH4R10ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	XPH4R10ANB,L1XHQ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-SOP Advance (5x5)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	XPH4R10ANB,L1XHQ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±20V
Sarja U-MOSVIII-H	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4970 pF @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila 175°C
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 70A (Ta)	Valmistajan laitepakkaus 8-SOP Advance (5x5)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,1mOhm @ 35A, 10V	Päätuotenumero XPH4R10
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 1mA