Name: TW107N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW107N65CS1F-ND
Price: 13.96815 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 650 V 20A (Tc) 76W (Tc) Läpivientiaukko TO-247

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TW107N65C,S1F
DigiKeyn tuotenumero	264-TW107N65CS1F-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TW107N65C,S1F
Kuvaus	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Valmistajan vakio toimitusaika	24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 20A (Tc) 76W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 1,2mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 21 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) +25V, -10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 600 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 76W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 20A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 145mOhm ved 10A, 18V