TK125N60Z1,S1F
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW107N65C,S1F

DigiKeyn tuotenumero
264-TW107N65CS1F-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TW107N65C,S1F
Kuvaus
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Valmistajan vakio toimitusaika
24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 20A (Tc) 76W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
145mOhm ved 10A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 1,2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
600 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
76W (Tc)
Toimintalämpötila
175°C
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-247
Pakkaus / kotelo
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 30
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
110,25000 €10,25 €
306,16867 €185,06 €
1205,27433 €632,92 €
5105,17357 €2 638,52 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:10,25000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:12,86375 €