N-kanavatyyppi 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW048N65C,S1F

DigiKeyn tuotenumero
264-TW048N65CS1F-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TW048N65C,S1F
Kuvaus
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Valmistajan vakio toimitusaika
24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 1,6mA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Pakkaustapa
Putki
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Osan tila
Aktiivinen
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1362 pF @ 400 V
FET-tyyppi
Tehohäviö (maks.)
132W (Tc)
Teknologia
Toimintalämpötila
175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Valmistajan laitepakkaus
TO-247
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Pakkaus / kotelo
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm ved 20A, 18V
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Varastossa: 0
Tarkista toimitusaika
Pyydä ilmoitus siitä kun tuotetta on taas saatavana
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
118,46000 €18,46 €
3011,61333 €348,40 €
12010,11608 €1 213,93 €
5109,78553 €4 990,62 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:18,46000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:23,16730 €