TK125N60Z1,S1F
cms-photo-disclaimer
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW048N65C,S1F

cms-digikey-product-number
264-TW048N65CS1F-ND
cms-manufacturer
cms-manufacturer-product-number
TW048N65C,S1F
cms-description
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
cms-standard-lead-time
24 viikkoa
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-kanavatyyppi 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Valm.
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm ved 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 1,6mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
1362 pF @ 400 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
132W (Tc)
Toimintalämpötila
175°C
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-247
Pakkaus / kotelo
cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Varastossa: 29
cms-incoming-leadtime-link
cms-all-prices-in-currency
Putki
cms-quantityYksikköhinta cms-ext-price
117,01000 €17,01 €
3010,69900 €320,97 €
1209,94442 €1 193,33 €
cms-manufacturer-standard-package
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:17,01000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:21,34755 €