Name: TW045Z120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW045Z120C,S1F-ND
Price: 28.4383 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TW045Z120C,S1F
DigiKeyn tuotenumero	264-TW045Z120C,S1F-ND
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TW045Z120C,S1F
Kuvaus	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Valmistajan vakio toimitusaika	10 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 40A (Tc) 182W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4L(X)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Toshiba Semiconductor and Storage
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	62mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 6,7mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1969 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	182W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-4L(X)
Pakkaus / kotelo	TO-247-4