TK125N60Z1,S1F
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW030N120C,S1F

DigiKeyn tuotenumero
264-TW030N120CS1F-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TW030N120C,S1F
Kuvaus
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Valmistajan vakio toimitusaika
24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
-
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Aktiivinen
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
40mOhm ved 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 13mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2925 pF @ 800 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
249W (Tc)
Toimintalämpötila
175°C
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-247
Pakkaus / kotelo
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 40
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
132,90000 €32,90 €
3022,84500 €685,35 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:32,90000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:41,28950 €