N-kanavatyyppi 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW030N120C,S1F

DigiKeyn tuotenumero
264-TW030N120CS1F-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TW030N120C,S1F
Kuvaus
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Valmistajan vakio toimitusaika
24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 13mA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 18 V
Pakkaustapa
Putki
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Osan tila
Aktiivinen
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2925 pF @ 800 V
FET-tyyppi
Tehohäviö (maks.)
249W (Tc)
Teknologia
Toimintalämpötila
175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200 V
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Valmistajan laitepakkaus
TO-247
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Pakkaus / kotelo
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
40mOhm ved 30A, 18V
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Varastossa: 40
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
135,71000 €35,71 €
3023,81233 €714,37 €
12022,47983 €2 697,58 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:35,71000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:44,81605 €