N-kanavatyyppi 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.
N-kanavatyyppi 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW015N120C,S1F

DigiKeyn tuotenumero
264-TW015N120CS1F-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
TW015N120C,S1F
Kuvaus
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Valmistajan vakio toimitusaika
24 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit
TW015N120C,S1F -mallit
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 11,7mA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
158 nC @ 18 V
Pakkaustapa
Putki
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Osan tila
Aktiivinen
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
6000 pF @ 800 V
FET-tyyppi
Tehohäviö (maks.)
431W (Tc)
Teknologia
Toimintalämpötila
175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
1200 V
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Valmistajan laitepakkaus
TO-247
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
18V
Pakkaus / kotelo
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
20mOhm ved 50A, 18V
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Varastossa: 48
Tutustu myös saapuviin tuotteisiin
Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR
Putki
Määrä Yksikköhinta Yhteensä
172,55000 €72,55 €
3053,55533 €1 606,66 €
Valmistajien vakiokoko
Huomaa: DigiKeyn lisäarvopalveluista johtuen pakkaustyyppi voi muuttua, kun tuotetta ostetaan vakiokokoa pienempiä määriä.
Yksikköhinta ilman ALV-veroa:72,55000 €
Yksikköhinta ALV-veron kanssa:91,05025 €