Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 4.17915 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DSOP Advance

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPW2900ENH,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPW2900ENH,L1Q
Kuvaus	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 33A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DSOP Advance
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 16,5A, 10V
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 1mA
Sarja U-MOSVIII-H	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2200 pF @ 100 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 33A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-DSOP Advance
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN