Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 1.4056 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPN4R712MD,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	TPN4R712MDL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPN4R712MD,L1Q
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPN4R712MD,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,2V @ 1mA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 65 nC @ 5 V
Sarja U-MOSVI	Vgs (maks.) ±12V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4300 pF @ 10 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 42W (Tc)
FET-tyyppi P-kanava	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 20 V	Valmistajan laitepakkaus 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 36A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Päätuotenumero TPN4R712
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,7mOhm @ 18A, 4,5V