Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 2.5351 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

TPN1110ENH,L1Q
DigiKeyn tuotenumero	TPN1110ENHL1QTR-ND - Rullattu teippi (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Toshiba Semiconductor and Storage
Valmistajan tuotenumero	TPN1110ENH,L1Q
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 7,2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	TPN1110ENH,L1Q -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 200µA
Valm. Toshiba Semiconductor and Storage	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Sarja U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 600 pF @ 100 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 7,2A (Ta)	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero TPN1110
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 114mOhm @ 3,6A, 10V